7-1879658-6
![](/img-new/pdf.png)
7-1879658-6 datasheet
-
Маркировка7-1879658-6
-
ПроизводительTyco Electronics
-
ОписаниеTyco Electronics 7-1879658-6 Composition: Metal Film Features: Pulse Withstanding Height: - Lead Style: Through Hole Package / Case: Axial Power (watts): 0.5W, 1/2W Resistance (ohms): 649 Series: H4, Holsworthy Size / Dimension: 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) Temperature Coefficient: ?±15ppm/?°C Tolerance: ?±0.1% Other Names: H4649RBYA
-
Количество страниц1 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
![<p>Teledyne FLIR IIS, известная ранее как ранее Point Grey Research, является известным роизводителем передовых решений визуализации. Компания представила новую разработку — серию камер Dragonfly® S USB3 машинного зрения. Задача в предстоящем крупномасштабном производстве на мощностях Teledyne — удовлетворение высокого спроса на рынке на модульную, компактную, легкую камеру, а также на более сложные приложения и многокамерные системы.</p> <p>Teledyne FLIR IIS, известная ранее как ранее Point Grey Research, является известным роизводителем передовых решений визуализации. Компания представила новую разработку — серию камер Dragonfly® S USB3 машинного зрения. Задача в предстоящем крупномасштабном производстве на мощностях Teledyne — удовлетворение высокого спроса на рынке на модульную, компактную, легкую камеру, а также на более сложные приложения и многокамерные системы.</p>](/images/cache/815036fd0c9b1abb45d781304cc73ce2.jpg)
22.07.2024
![<p>Компания Microchip Technology представила семейство новейших контролеров универсального управления объединительной платой (UBM) EEC1005-UB2.</p> <p>Компания Microchip Technology представила семейство новейших контролеров универсального управления объединительной платой (UBM) EEC1005-UB2.</p>](/images/cache/c7fe5d4c5008821fdfc88cdf3272dc59.jpg)
21.07.2024
![<p>Серия испытательных тестов завершила проверку новейшего полевого транзистора (FET) производства компании Ancora Semiconductor Inc. Полевой транзистор оснащен двусторонним охлаждением на основе нитрида галлия.</p> <p>Серия испытательных тестов завершила проверку новейшего полевого транзистора (FET) производства компании Ancora Semiconductor Inc. Полевой транзистор оснащен двусторонним охлаждением на основе нитрида галлия.</p>](/images/cache/eefa7369dc859937359cc8c9ccfe5fcf.jpg)
16.07.2024